[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201811003608.4 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110299379B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 岩本敏幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储装置包含衬底；第一及第二绝缘层，其在第一方向上延伸；第一导电层，其在所述第一方向上延伸，在垂直于所述衬底的第二方向上处于所述第一及第二绝缘层之间；第二导电层，其在所述第二方向上延伸；可变电阻层，其提供于所述第一导电层与所述第二导电层之间；及第一层，其具有接触所述第一绝缘层的第一表面，及在第三方向上接触所述可变电阻层的第二表面。所述第一表面相对于所述第三方向具有从第一部分到比所述第一部分更靠近所述第二表面的第二部分的倾斜。在所述第二方向上所述第一部分与所述第二绝缘层之间的距离大于所述第二部分与所述第二绝缘层之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其包括：衬底；第一绝缘层，其在第一方向上延伸；第二绝缘层，其在所述第一方向上延伸；第一导电层，其在所述第一方向上延伸并且在垂直于所述衬底及与所述第一方向相交的第二方向上提供于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；第二导电层，其在所述第二方向上延伸；可变电阻层，其提供于所述第一导电层与所述第二导电层之间；及第一层，其包含与所述第一绝缘层接触的第一表面，及与所述第一表面邻接并且在与所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向上与所述电阻可变层接触的第二表面，其中所述第一表面相对于所述第三方向具有从第一部分到比所述第一部分更靠近所述第二表面的第二部分的倾斜，使得所述第一绝缘层的部分在所述第三方向上处于所述第一部分与所述电阻可变层之间，并且在所述第二方向上所述第一部分与所述第二绝缘层之间的第一距离大于所述第二部分与所述第二绝缘层之间的第二距离。
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