[发明专利]一种百草枯分子印迹传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种百草枯分子印迹传感器的制备方法，特征在于，首先采用氯金酸和氧化碳纳米管对玻碳电极进行修饰制得纳米金/氧化碳纳米管修饰液电极；第二步，在反应器中，加入乙醇：72~80%，N‑烯丙基‑2‑氨甲基吡咯烷：8~12%，丙烯酰胺：4~8%，N,N‑亚甲基双丙烯酰胺：0.2~1.0%，百草枯：2~6%，过硫酸铵：3~5%，65±2℃搅拌反应，将得到的产物用乙醇：乙酸混合溶液浸泡10h，除去模板分子，即得百草枯分子印迹聚合物；将聚合物滴涂到纳米金/氧化碳纳米管修饰电极上，即得百草枯分子印迹传感器。该传感器具有高的灵敏度和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。

主权项

1.一种百草枯分子印迹传感器的制备方法，特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）纳米金/氧化碳纳米管修饰液制备：在反应器中，按如下组成质量比加入，去离子水：85~92%，氯金酸：1.0~3.0%，氧化碳纳米管：2~6%，室温下超声20min，分散均匀，再加入柠檬酸：3~8%，各组分含量之和为百分之百，加热至55±2℃，搅拌反应40min，得到纳米金/氧化碳纳米管修饰液；（2）纳米金/氧化碳纳米管修饰电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.01μm抛光粉进行表面抛光，然后分别用二次蒸馏水超声清洗，乙醇洗涤，吹干，在玻碳电极浸泡在纳米金/氧化碳纳米管修饰液中30min，取出置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得纳米金/氧化碳纳米管修饰电极；（3）百草枯分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，乙醇：72~80%，N‑烯丙基‑2‑氨甲基吡咯烷：8~12%，丙烯酰胺：4~8%，百草枯：2~6%，N,N‑亚甲基双丙烯酰胺：0.2~1.0%，过硫酸铵：3~5%，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧20min，无氧氛围，65±2℃搅拌反应6~8h，将得到的产物用乙醇：乙酸体积比为10:1混合溶液浸泡10h，除去模板分子，干燥，即得百草枯分子印迹聚合物；（4）百草枯分子印迹传感器的制备：取适量的百草枯分子印迹聚合物分散于1%的壳聚糖乙酸溶液中，制得18g /L的百草枯分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液16~20μL滴加到步骤（2）制备的纳米金/氧化碳纳米管修饰电极，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得百草枯分子印迹传感器。