[发明专利]存储阵列电路有效
| 申请号： | 201810995756.2 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427387B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;廖宏仁;潘显裕;林志宇;陈炎辉;赛赫尔·普列特·辛格 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/414 | 分类号： | G11C11/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了存储阵列。存储阵列包括沿着第一方向排列的单元列和在单元列上方沿着第一方向延伸的位线。该单元列包括一组存储单元和一组带单元。位线包括第一导体和第二导体。第一导体沿着第一方向延伸并且位于第一导电层中。第二导体沿着第一方向延伸并且位于不同于第一导电层的第二导电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储阵列，包括：单元列，沿着第一方向排列，所述单元列包括一组存储单元和一组带单元，以及位线，在所述单元列上方沿着所述第一方向延伸，所述位线包括：第一导体，沿着所述第一方向延伸并且位于第一导电层中；和第二导体，沿着所述第一方向延伸并且位于与所述第一导电层不同的第二导电层中。
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