[发明专利]基于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及方法有效
| 申请号： | 201810994328.8 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109164400B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;黄飞;彭斌;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种基于自旋泵浦‑逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO |
||
| 搜索关键词： | 基于 自旋 霍尔 效应 微波 磁场 探测器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810994328.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
