[发明专利]光刻过程中晶圆对准的方法有效
| 申请号： | 201810985980.3 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110865519B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻过程中晶圆对准的方法，包括：预备由多片待光刻基底组成的光刻单元；将光刻单元中的第一片待光刻基底置于光刻板表面对位标记围成的范围内，对位标记中包括分布于一圆周上的至少3个标记点，且圆周的大小与晶圆片的大小匹配；根据第一片待光刻基底与光刻板之间的对准操作更新对位坐标值；对第一片待光刻基底进行第一道光刻工序；取出第一片待光刻基底，根据更新后的对位坐标值依次对光刻单元中的其他待光刻基底进行光刻。在以光刻单元为单位进行光刻的过程中，对第一片待光刻基底进行人工对准操作，将其置于对位标记围成的范围内，并根据对准操作对对位坐标值进行人工修正，大大降低了光刻图形发生偏离的概率，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 过程 中晶圆 对准 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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