[发明专利]用于EEPROM存储器的基准电流生成电路及生成方法

摘要

本发明涉及一种用于EEPROM存储器的基准电流生成电路，包括一个存储单元和镜像单元，所述的存储单元用于输出标准电流I0_cell至镜像单元中，镜像单元用于对标准电流I0_cell进行处理并输出电流m*I0_cell作为基准电流Iref，其中m的取值为0m1；并公开了一种基准电流生成方法。将基准电流Iref与标准电流I0_cell相关联，保证基准电流Iref一直满足公式(1.3)，同时还能尽可能减小工艺、温度等带来的电流差；存储器中共用一个参考CELL作为基准电流源，相比传统的电流检测电路，所需的面积小；通过此电路生成的基准电流Iref是相对电流，随着电压、温度、工艺角的变化而变化，且无论如何变化，都满足公式(1.3)，故可以保证后续读取性能的抗干扰能力和准确率。

主权项

1.一种用于EEPROM存储器的基准电流生成电路，其特征在于：包括一个存储单元和镜像单元，所述的存储单元用于输出标准电流I0_cell至镜像单元中，镜像单元用于对标准电流I0_cell进行处理并输出电流m*I0_cell作为基准电流Iref，其中m的取值为0

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