[发明专利]一种CMP抛光垫表面处理工艺在审
| 申请号： | 201810971728.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109093538A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张雪彦;张莉娟 | 申请（专利权）人： | 成都时代立夫科技有限公司 |
| 主分类号： | B24D11/00 | 分类号： | B24D11/00;B24B21/04 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白小明 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及CMP抛光垫加工领域，具体涉及一种CMP抛光垫表面处理工艺。本发明中通过120目砂带的粗加工、240目砂带的细加工以及400目砂带的精加工中将基材处理至目标厚度，此间在各个加工阶段通过有效调整砂带的高度对基材的表面进行砂光处理，有效控制了基材表面的粗糙度。此外本发明提供的处理工艺使基材表面的初始粗糙度与使用过程中保持一致，从而解决初始研磨速率不稳定的问题，通过本发明提供的基材表面的处理工艺显著提高了其抛光过程的稳定性。除此之外，本发明具有操作简单、加工后性能指标易监测、工艺可实施性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 处理工艺 砂带 基材表面 抛光垫表面 粗糙度 基材处理 加工阶段 抛光过程 砂光处理 有效调整 有效控制 研磨 抛光垫 实施性 细加工 精加工 基材 加工 监测 | ||
【主权项】：
1.一种CMP抛光垫表面处理工艺，其特征在于，主要包括以下步骤：S1、确定基材的最终目标厚度D mm；S2、粗加工：选用120目的砂带，将基材置于砂光机中并进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度为D+(0.08～0.10)mm；S3、细加工：选用240目的砂带，将基材置于砂带下方进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度为D+(0.01～0.02)mm；S4、精加工：选用400目的砂带，将基材置于砂带下方进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度达到目标厚度D mm。
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