[发明专利]一种CMP抛光垫表面处理工艺在审
| 申请号： | 201810971728.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109093538A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张雪彦;张莉娟 | 申请（专利权）人： | 成都时代立夫科技有限公司 |
| 主分类号： | B24D11/00 | 分类号： | B24D11/00;B24B21/04 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白小明 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理工艺 砂带 基材表面 抛光垫表面 粗糙度 基材处理 加工阶段 抛光过程 砂光处理 有效调整 有效控制 研磨 抛光垫 实施性 细加工 精加工 基材 加工 监测 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMP抛光垫表面处理工艺，其特征在于，主要包括以下步骤：
S1、确定基材的最终目标厚度D mm；
S2、粗加工：选用120目的砂带，将基材置于砂光机中并进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度为D+(0.08～0.10)mm；
S3、细加工：选用240目的砂带，将基材置于砂带下方进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度为D+(0.01～0.02)mm；
S4、精加工：选用400目的砂带，将基材置于砂带下方进行砂光处理，通过正反面交替的方式进行砂光处理，在更改基材正反面的同时调节砂带的高度，直至基材的厚度达到目标厚度D mm。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S2步骤中，砂带每次调整的高度不大于0.09mm。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S2细加工步骤中，砂带每次调整的高度不大于0.04mm。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S3精加工步骤中，砂带每次调整的高度不大于0.02mm。
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