[发明专利]一种纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810926457.3 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109052369B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朱才镇;王喆;杜建国;张盟;于佳立;李冬至;刘会超;徐坚 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158;C01B32/23;B82Y30/00;C25B1/00;C25B1/21;C25B11/04 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料和电化学领域，公开了一种直流电沉积制备的纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：将正极片、负极片置于电解液中，且所述正极片和负极片相对设置，且彼此隔开；将导电基底没入所述电解液，接通直流电源后，将所述导电基底以一定速率移动穿过所述正极片和负极片之间，以在所述导电基底表明上生长纳米材料。本制备方法适用性好，操作简单，条件温和，适宜大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将正极片、负极片置于电解液中，且所述正极片和负极片相对设置，且彼此隔开；将导电基底没入所述电解液，接通直流电源后，将所述导电基底以一定速率移动穿过所述正极片和负极片之间，以在所述导电基底表明上生长纳米材料。
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