[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810923288.8 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109390446B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 成演准;朴真秀;崔洛俊 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/24 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层；第一电极，电连接至第一导电半导体层；第二电极，电连接至第二导电半导体层；第一覆盖电极，设置在第一电极上；以及绝缘层，设置在第一电极与第二电极之间，其中绝缘层包括设置在第一导电半导体层与第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在第一覆盖电极上的第二绝缘部，其中第一覆盖电极包括设置在第一绝缘部的上表面与第二绝缘部的下表面之间的第一突起部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层；第一电极，电连接至所述第一导电半导体层；第二电极，电连接至所述第二导电半导体层；第一覆盖电极，设置在所述第一电极上；以及绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述绝缘层包括设置在所述第一导电半导体层与所述第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在所述第一覆盖电极上的第二绝缘部，其中所述第一覆盖电极包括设置在所述第一绝缘部的上表面与所述第二绝缘部的下表面之间的第一突起部。
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