[发明专利]一种整流方法有效
| 申请号： | 201810916518.8 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065463B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 初宝进;陈攀 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/62 | 分类号： | H01L21/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹君君;李海建 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种整流方法，包括：提供具有稳定的内部应变梯度的材料；给所述具有稳定的内部应变梯度的材料的两端施加外电压，所述具有稳定的内部应变梯度的材料在外电压下保持单向导电。如果材料中存在着应变梯度，可产生由于挠曲电效应导致的介电极化，内部应变梯度可等效于一个内电场：“挠曲电电场”。由于挠曲电效应产生的“挠曲电电场”可以影响材料的导电行为，从而产生与传统的整流器件类似的整流效应。上述具有稳定的内部应变梯度的材料可选择任意满足要求的材料，借助挠曲电效应实现整流的方法，为当前电子工业提供一种颇具实用价值的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流 方法 | ||
【主权项】：
1.一种整流方法，其特征在于，包括：提供具有稳定的内部应变梯度的材料；给所述具有稳定的内部应变梯度的材料的两端施加外电压，所述具有稳定的内部应变梯度的材料在外电压下保持单向导电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810916518.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
