[发明专利]半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置在审
| 申请号： | 201810905814.8 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN108983064A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请（专利权）人： | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人： | 余丽霞 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法和装置，方法包括以下步骤：步骤一、对芯片进行直流测试，测试芯片的直流特性指标；步骤二、根据步骤一测得的直流特性指标，计算出芯片在调制状态下的工作电流Iop，按照应用时的消光比计算出，峰值功率点P1及峰值功率点P0的工作电流I1、I0；步骤三、将偏置器切换到动态模式，电流源给出脉冲调制电流，调整脉冲调制电流加电的范围为I0～I1，测试芯片的动态光谱。本发明在芯片直流测试的基础上，增加调制测试，测试半导体激光二极管芯片的动态调制下的光谱特性，从而筛除未加调制和调制下激射的光谱会发生变化的芯片，从而提供后续续封装阶段的器件的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 动态光谱 芯片 调制 半导体激光二极管芯片 脉冲调制电流 测试芯片 峰值功率 工作电流 直流测试 直流特性 测试方法及装置 激光二极管芯片 测试半导体 方法和装置 测试 调制状态 动态调制 动态模式 光谱特性 电流源 偏置器 消光比 加电 光谱 封装 合格率 应用 | ||
【主权项】：
1.半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、对半导体激光二极管芯片进行直流测试，测试出半导体激光二极管芯片的直流特性指标；步骤二、根据步骤一测得的直流特性指标，计算出半导体激光二极管芯片在调制状态下的工作电流Iop，并按照应用时的消光比计算出半导体激光二极管的峰值功率点P1及峰值功率点P0的工作电流I1、I0；步骤三、将偏置器(28)切换到动态模式，通过电流源给出脉冲调制电流，测试出半导体激光二极管芯片的动态光谱。
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