[发明专利]半导体器件及其形成方法、半导体结构有效
| 申请号： | 201810903391.6 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110828665B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括电阻区；形成覆盖基底的第一介质层；形成覆盖第一介质层的牺牲层；依次图形化牺牲层和第一介质层，在电阻区的第一介质层内形成凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成电阻材料层，电阻材料层还覆盖剩余牺牲层；形成覆盖电阻材料层的刻蚀停止材料层；去除高于凹槽顶部的刻蚀停止材料层和电阻材料层，保留凹槽中的剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，保留凹槽中的剩余电阻材料层作为电阻层；形成刻蚀停止层和电阻层后，去除剩余牺牲层。本发明通过形成牺牲层和凹槽，增大了后续形成互连通孔的工艺窗口，有利于改善器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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