[发明专利]一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料有效
| 申请号： | 201810902452.7 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109273596B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;张锐;郭璇;尤海鹏;朱小芹;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈丽萍 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种用于高速相变存储器的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为2～100nm。利用类超晶格结构的特殊性，可以减少加热过程中的热量散失，降低薄膜的整体热导率，从而提高相变速度。其次，利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高热 稳定性 功耗 性能 多层 相变 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜，其特征在于：所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜由单层ZnSb薄膜和单层GaSb薄膜交替堆叠排列成多层膜结构。
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