[发明专利]二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810876976.3 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109065867A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王建淦;孙欢欢;华伟;刘焕岩 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料的制备方法，用于解决现有方法制备的负极材料倍率性差的技术问题。技术方案是将钼源溶于含有浓硝酸的去离子水中进行水热反应，得到三氧化钼纳米线前驱体。将三氧化钼分散于去离子水中，加入酸调节pH，再加入三氧化钼/硫源/吡咯单体溶解，水热反应得到二硫化钼/聚吡咯纳米线。将二硫化钼/聚吡咯纳米线平铺于瓷舟中，并将瓷舟放置于管式炉中，在惰性气氛下升温并保温后，冷却至室温，获得二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料。经测试，当电流密度为4A g‑1时，其比容量由背景技术的350mAh g‑1提高到506～600mAh g‑1，表现出超高的倍率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 负极材料 三氧化钼 碳纳米线 氮掺杂 制备 聚吡咯纳米线 水热反应 瓷舟 水中 离子 纳米线前驱体 倍率特性 吡咯单体 倍率性 比容量 管式炉 浓硝酸 酸调节 硫源 平铺 钼源 保温 冷却 溶解 测试 表现 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、将钼源溶于含有0.1～3.0mol/L浓硝酸的去离子水中，160～240℃下水热反应6～36h，得到三氧化钼纳米线前驱体；步骤二、将三氧化钼纳米线前驱体分散于去离子水中，加入酸，调节pH为0.1～5，再加入摩尔比为1:(4～6):(0.207～0.615)的三氧化钼/硫源/吡咯单体，充分溶解，160～240℃水热反应6～36h得到二硫化钼/聚吡咯纳米线；步骤三、将二硫化钼/聚吡咯纳米线平铺于瓷舟中，并将瓷舟放置于管式炉中，在惰性气氛下以0.5～20℃/min升温速率升至600～1000℃，保温0.5～10h，冷却至室温，获得二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料。
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