[发明专利]电子设备及其制造方法

摘要

本文可以提供的是一种包括半导体存储器的电子设备及其制造方法。半导体存储器可以包括：在第一方向上延伸的第一列线和子列线；在第二方向上延伸的第一行线；第一存储区，其包括连接在第一列线和第一行线之间的第一存储单元；第一接触插塞，其耦接至子列线并设置在在第一方向上的第一存储区之间；第二接触插塞，其耦接至第一行线并设置在在第二方向上的第一存储区之间；以及第一连接结构，其将第一列线部分地耦接至所述子列线，使得：在第一行线上的从选中的第一存储单元到对应的第二接触插塞的电流路径越长，从所述选中的第一存储单元到对应的第一接触插塞的电流路径就越短。

主权项

1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：在第一方向上延伸的第一列线；在所述第一方向上延伸的子列线；在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第一行线；第一存储区，包括连接在所述第一列线和所述第一行线之间的第一存储单元；第一接触插塞，设置在在所述第一方向上彼此相邻的所述第一存储区之间，所述第一接触插塞被耦接至所述子列线；第二接触插塞，设置在在所述第二方向上彼此相邻的所述第一存储区之间，所述第二接触插塞被耦接至所述第一行线；以及第一连接结构，耦接在所述第一列线和所述子列线之间在预定位置处，使得：随着在第一行线上的从选中的第一存储单元到对应的第二接触插塞的电流路径的长度增大，从所述选中的第一存储单元到对应的第一接触插塞的电流路径的长度减小。