[发明专利]MTJ器件有效
| 申请号： | 201810866682.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109065704B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MTJ器件。该MTJ器件包括：重金属层，形成重金属层的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层，设置于重金属层的一侧表面，且第一磁性层具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；交换耦合控制层，设置于第一磁性层远离重金属层的一侧表面，用于使第一磁性层与第二磁性层铁磁耦合；第二磁性层，设置于交换耦合控制层远离第一磁性层的一侧表面，第二磁性层具有垂直于重金属层的磁各向异性，且第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度高于第一磁性层的饱和磁化强度。通过使靠近重金属层的第一磁性层具有低于第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度，从而能够使器件的临界反转电流密度大大降低，并且包括第一磁性层和第二磁性层的复合自由层可增强结构的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 器件 | ||
【主权项】：
1.一种MTJ器件，其特征在于，包括：重金属层(10)，形成所述重金属层(10)的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层(210)，设置于所述重金属层(10)的一侧表面，且所述第一磁性层(210)具有垂直于所述重金属层(10)表面的磁各向异性；交换耦合控制层(220)，设置于所述第一磁性层(210)远离所述重金属层(10)的一侧表面；第二磁性层(230)，设置于所述交换耦合控制层(220)远离所述第一磁性层(210)的一侧表面，所述第二磁性层(230)具有垂直于所述重金属层(10)的磁各向异性，且所述第二磁性层(230)的矫顽力和饱和磁化强度高于所述第一磁性层(210)的饱和磁化强度，所述交换耦合控制层(220)用于使所述第一磁性层(210)与所述第二磁性层(230)铁磁耦合。
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