[发明专利]一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路在审
| 申请号： | 201810852071.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109004813A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 柳树渡;李茂华;孙志新 | 申请（专利权）人： | 深圳英飞源技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/32;H03K17/081 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，包括推挽电路、RCD吸收电路、栅极电阻和MOS管，其特征在于：所述RCD吸收电路由吸收电阻R、吸收电容C和TVS管组成，所述TVS管的阴极与所述MOS管的栅极连接，所述TVS管的阳极与所述吸收电容的一端连接，所述吸收电容的另一端与所述MOS管的源极连接，所述吸收电阻与所述TVS管并联连接。采用本发明电路，通过增加RCD电路，能够有效抑制MOS管的栅源极正向驱动尖峰电压，通过增加负压电路能提高MOS管的关断可靠性，本发明的抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路具有结构简单，性能可靠等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 尖峰 驱动电压 吸收电容 吸收电阻 阴极 阳极 并联连接 负压电路 尖峰电压 推挽电路 一端连接 有效抑制 源极连接 栅极电阻 栅极连接 正向驱动 栅源极 关断 电路 | ||
【主权项】：
1.一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，包括推挽电路、RCD吸收电路、栅极电阻和MOS管，其特征在于：所述RCD吸收电路由吸收电阻R、吸收电容C和TVS管组成，所述TVS管的阴极与所述MOS管的栅极连接，所述TVS管的阳极与所述吸收电容的一端连接，所述吸收电容的另一端与所述MOS管的源极连接，所述吸收电阻与所述TVS管并联连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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