[发明专利]环形银纳米间隙阵列及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种环形银纳米间隙阵列及其制备方法和用途。间隙阵列为组成银纳米棒阵列的银纳米棒的侧面包覆有银纳米多孔管、根部竖立于银纳米凸环内，其中，银纳米棒长50‑1000nm、直径20‑300nm，根部的直径＜棒直径，其与凸环壁间距0.33‑30nm，凸环高5‑70nm、环壁厚5‑25nm，密度为109‑1011/cm2，凸环的表面为银纳米颗粒膜；方法为先依次于通孔氧化铝模板的表面溅射银、原子层沉积氧化铝薄膜、蒸镀银膜和电沉积银纳米棒，再于得到的表面依次覆有银纳米颗粒膜、氧化铝薄膜和银膜、孔内壁依次覆有银纳米多孔管、氧化铝薄膜和银纳米棒的氧化铝模板的银膜表面电沉积铜膜后，将其置于碱或酸溶液中溶去模板和氧化铝薄膜，制得目的产物。它可作为SERS的活性基底来测量其上附着的痕量有机污染物。

主权项

1.一种环形银纳米间隙阵列，包括衬底上的银纳米棒阵列，其特征在于：所述组成银纳米棒阵列的银纳米棒的侧面包覆有银纳米多孔管、根部竖立于银纳米凸环内；所述侧面包覆有银纳米多孔管、根部竖立于银纳米凸环内的银纳米棒的棒长为50‑1000nm、棒直径为20‑300nm；所述侧面包覆有银纳米多孔管、根部竖立于银纳米凸环内的银纳米棒根部的棒直径＜银纳米棒的直径，其与银纳米凸环内壁的间距为0.33‑30nm；所述银纳米凸环的高为5‑70nm、环壁厚为5‑25nm，银纳米凸环的密度为109‑1011/cm2；所述银纳米凸环的表面为银纳米颗粒膜。