[发明专利]形成钴接触模组的方法及藉此形成的钴接触模组

摘要

本发明涉及形成钴接触模组的方法及藉此形成的钴接触模组，其揭示一种形成Co(钴)接触模组的方法，该方法包括在沟槽块体上沉积衬垫层，以Co作为第一金属将已内衬的沟槽部分地镀覆而使得所产生的Co层在最浅沟槽的开放顶端表面下面具有顶端表面，在该Co层、及该衬垫层的曝露表面上沉积第二金属，将该第二金属层平坦化，以及蚀刻该第二金属层、及该衬垫层的部分。本发明也涉及通过所提方法所形成的Co接触模组。

主权项

1.一种形成钴(Co)接触模组的方法，该方法包含：在沟槽块体上沉积衬垫层，使得该沟槽块体的顶端表面上方、及该沟槽块体的沟槽的侧壁与底端部分上沉积该衬垫层；以Co作为第一金属将该沟槽部分地镀覆，使得该沟槽内形成Co层，并且该Co层的顶端表面位于最浅沟槽的开放顶端表面下面；沉积第二金属，使得该Co层、及该衬垫层的曝露表面上方形成第二金属层，并且该第二金属层的顶端表面位于最深沟槽的开放顶端表面上面；将该第二金属层平坦化，使得该第二金属层的该顶端表面变为与该最深沟槽的该开放顶端表面近似共面；以及蚀刻该第二金属层、及该衬垫层的部分，使得该受蚀刻的第二金属层的顶端表面与该最浅沟槽的该开放顶端表面近似共面。