[发明专利]通过微纳结构转移方法在光纤端面制备微纳结构的方法在审
| 申请号： | 201810839320.4 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108761641A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 赵复生;李静婷;赵俊洋 | 申请（专利权）人： | 纤瑟(天津)新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/24 | 分类号： | G02B6/24;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京红福盈知识产权代理事务所(普通合伙) 11525 | 代理人： | 陈月福 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区经济技术开发区信环西路19号泰达*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过微纳结构转移方法在光纤端面制备微纳结构的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：提供一硬质基底，并且在所述硬质基底上形成一牺牲层，并将所述硬质基底边缘部分的牺牲层去除；步骤2：在所述牺牲层上形成一层过渡层，所述过渡层将所述牺牲层完全覆盖，并在所述过渡层上形成微纳结构阵列；步骤3：在所述微纳结构上覆盖一层保护层，对所述微纳结构进行保护。步骤4：将带有微纳结构的过渡层从所述硬质基底上分离；步骤5：将所述过渡层上没有形成微纳结构的一端与光纤端面形成固定连接；步骤6：去除所述保护层。本发明通过引入一层过渡层PDMS，使得在光纤端面进行微纳结构的加工能够实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 微纳结构 过渡层 牺牲层 硬质基 光纤端面制备 光纤端面 保护层 去除 规模化生产 底边缘 引入 覆盖 加工 | ||
【主权项】：
1.一种通过微纳结构转移方法在光纤端面制备微纳结构的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：提供一硬质基底，并且在所述硬质基底上形成一牺牲层，并将所述硬质基底边缘部分的牺牲层去除；步骤2：在所述牺牲层上形成一层过渡层，所述过渡层将所述牺牲层完全覆盖，并在所述过渡层上形成微纳结构阵列；步骤3：在所述微纳结构上覆盖一层保护层，对所述微纳结构进行保护。步骤4：将带有微纳结构的过渡层从所述硬质基底上分离；步骤5：将所述过渡层上没有形成微纳结构的一端与光纤端面形成固定连接；步骤6：去除所述保护层。
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