[发明专利]基于模拟方式获得外延平坦度的方法在审
申请号: | 201810837465.0 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN110852021A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 王华杰;曹共柏;林志鑫 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/30 | 分类号: | G06F30/30;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法,包括:1)提供第一衬底,在预设参数条件下,于第一衬底上生长外延层;2)测量外延层的第一实际厚度,并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度;3)提供第二衬底,测量第二衬底的第二实际厚度,并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度;以及4)将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度,对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算,获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣,从而可以对外延片衬底进行筛选,提高外延片平坦度性能与良率,同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。 | ||
搜索关键词: | 基于 模拟 方式 获得 外延 平坦 方法 | ||
【主权项】:
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