[发明专利]一种检测TFT中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法有效
| 申请号： | 201810834600.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109243992B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;蔡炜;姚日晖;陶瑞强;陈建秋;朱镇南;魏靖林;刘贤哲;周尚雄;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜器件分析领域，公开了一种检测TFT中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法。将溶液法绝缘层TFT样品放置于μ‑PCD仪器中，测试样品的载流子强度以及光电导衰减情况，从而得出溶液法绝缘层的均匀性及TFT器件质量；所述溶液法绝缘层TFT包括依次层叠的玻璃片、溶液法绝缘薄膜和半导体有源层薄膜，所述半导体有源层薄膜完全覆盖绝缘薄膜。本发明以简单的样品结构和测试方法，解决了溶液法加工绝缘薄膜均匀性测试的问题，同时为溶液法绝缘薄膜对半导体的影响提供了一定的参考价值，具有很强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 tft 通过 溶液 制备 绝缘 质量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测溶液法绝缘层TFT质量的方法，其特征在于包括如下步骤：将溶液法绝缘层TFT样品放置于μ‑PCD仪器中，测试样品的载流子强度以及光电导衰减情况，从而得出溶液法绝缘层的均匀性及TFT器件质量；所述溶液法绝缘层TFT包括依次层叠的玻璃片、溶液法绝缘薄膜和半导体有源层薄膜，所述半导体有源层薄膜完全覆盖绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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