[发明专利]一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法在审
| 申请号： | 201810808961.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108611617A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 高斐;高蓉蓉;武鑫;王昊旭;雷婕 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低钴靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单，制得的钴膜及氧化钴膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钴 钴膜 磁控溅射沉积 钴靶 非铁磁性 溅射沉积 金属圆片 均匀性好 磁屏蔽 结合力 铝圆片 膜致密 安插 基底 成功 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，其特征在于：在靶枪和钴靶之间放一个非铁磁性的金属圆片，采用磁控溅射在玻璃衬底上沉积一层钴膜或氧化钴膜。
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