[发明专利]可转移键合PDMS基纳米结构制备方法在审

专利信息
申请号: 201810808254.4 申请日: 2018-07-22
公开(公告)号: CN109116684A 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 解意洋;吴俊;胡良臣;徐晨;王秋华;赵壮壮 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/16;B82Y40/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了可转移键合PDMS基纳米结构制备方法,首先在刚性基底上旋涂一种可被有机溶剂如丙酮等溶解的牺牲层;然后在所制作的牺牲层表面旋涂一层PDMS,固化后在PDMS上面通过干涉光刻的方法制作出周期性纳米图形;再将制作好的图形进行刻蚀,得到图形化了的PDMS。将刻蚀好的PDMS放入丙酮等有机溶剂中,将牺牲层溶解,最终得到具有纳米图形的可转移可键合的PDMS薄膜。本发明使用干涉光刻的方法制备周期性纳米图形,极大的提高了效率。相较于现有的几种制备柔性材料微纳结构的方法,干涉光刻具有速度快,成本低,面积大,易于调节周期及占空比的优点。大大降低了制作过程中薄膜释放的操作难度,提高了薄膜制作的成功率,社会效益及经济效益十分显著。
搜索关键词: 制备 干涉光刻 可转移 牺牲层 键合 周期性纳米图形 纳米结构 有机溶剂 丙酮 刻蚀 溶解 制作 薄膜制作 纳米图形 柔性材料 微纳结构 制作过程 图形化 占空比 放入 基底 上旋 旋涂 薄膜 固化 成功率 释放
【主权项】:
1.可转移键合PDMS基纳米结构制备方法,其特征在于:首先在刚性基底上旋涂一种能够被有机溶剂如丙酮溶解的牺牲层;然后在所制作的牺牲层的表面旋涂一层PDMS薄膜,PDMS薄膜固化后,在PDMS薄膜表面通过干涉光刻的方法制作图形;再将制作好的图形进行刻蚀,得到图形化后的PDMS薄膜;最后,将刻蚀好的PDMS薄膜放入丙酮有机溶剂中,将牺牲层溶解,得到PDMS薄膜。
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