[发明专利]一种高中低阶闪存的分类方法

摘要

本发明公开了一种高中低阶闪存的分类方法，包括以下步骤：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将闪存分类为低阶闪存；设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；判断是否有擦除失败的块；判断是否有写入失败的块；判断是否有使用坏行，分别分类为中阶闪存、高阶闪存，该发明可以高效的将高中低阶闪存分类，较传统分类方法，分类速率提高近两倍。

主权项

1.一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将分类为低阶闪存；步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤六：判断是否有使用坏行，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤七：判断好块是否大于等于98%，如果没有，分类为中阶闪存，如果有，则分类为高阶闪存。