[发明专利]晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法有效
| 申请号： | 201810800604.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108899288B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 范世炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法，该监测方法包括：在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号；量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度；判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。本发明能够监控晶圆标记的形状及光路方位是否异常。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 监控 方法 激光 机台 对准 位置 判定 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆标记的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号；量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度；判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810800604.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
