[发明专利]一种兼容低压工艺的高压器件制作方法

摘要

本发明公开了一种兼容低压工艺的高压器件制作方法包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化氮化硅AA光刻、AA刻蚀和AA去胶处理，得到沉积完成的P型衬底硅片；S3：HNW注入：向S2中所述的沉积完成的P型衬底硅片上的HNW区域内注入杂质磷，且注入能量350KeV、注入剂量1.3E12atoms/cm2；S4：NW光刻：向S3中所述的注入完成的P型衬底硅片上的NW区域注入磷，且注入能量350KeV、注入角度7°后进行去胶处理。本发明在高压器件的制作过程中完全保留低压器件的参数，不影响低压器件特性，实现缩短开发周期、提高产品成功率的目的。

主权项

1.一种兼容低压工艺的高压器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化氮化硅AA光刻、AA刻蚀和AA去胶处理，得到沉积完成的P型衬底硅片；S3：HNW注入：向S2中所述的沉积完成的P型衬底硅片上的HNW区域内注入杂质磷，且注入能量350KeV、注入剂量1.3E12atoms/cm2；S4：NW光刻：向S3中所述的注入完成的P型衬底硅片上的NW区域注入磷，且注入能量350KeV、注入角度7°后进行去胶处理；S5：P阱区光刻：向S4中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上P阱区注入硼，且硼的注入剂量1.5E13atoms/cm2、注入角度7°并进行去胶处理；S6：场氧化：对5S中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上进行场氧化处理，并去除P型衬底硅片上的SiN；S7：栅氧化：对S6中所述的去除SiN后的P型衬底硅片上进行栅氧化处理并进行Poly沉积Poly光刻、Poly刻蚀和去胶处理，得到栅氧化后的P型衬底硅片；S8：N+光刻：对S7中所述的栅氧化后的P型衬底硅片上的N+区域注入砷，且注入能量80KeV、注入角度7°并进行去胶处理；S9：P+光刻：对S8中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上的P+区域注入BF2，且注入能量55KeV、注入剂量2.5E15atoms/cm2、注入角度7°后得到高压器件。