[发明专利]用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810783767.4 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109136869B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王洪;文如莲;胡晓龙;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/58;H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法。该制备方法先在基底上生长一层接触层薄膜，接触层薄膜生长后经由快速热退火炉400℃～600℃氮氧氛围下退火；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第一层Ga |
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| 搜索关键词： | 用于 紫外 波段 金属 氧化 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)在基底上利用电子束常规生长一层接触层薄膜，接触层薄膜生长后经由快速热退火炉400℃～600℃氮氧氛围下退火；2)利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第一层Ga2O3薄膜，控制第一层Ga2O3薄膜的厚度为10～20nm；3)利用磁控溅射氩气条件下溅射生长掺杂薄膜，掺杂薄膜为Ag、Al或Ti薄膜，控制掺杂薄膜的厚度为3‑7nm；4)利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第二层Ga2O3薄膜，控制第二层Ga2O3薄膜的厚度为10～20nm；5)生长完成的薄膜整体经由快速热退火炉500‑600℃氮氧氛围下退火，薄膜材料之间渗透扩散熔合，形成金属掺杂Ga2O3薄膜。
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