[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201810780068.4 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108987279B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 莫琼花;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种薄膜晶体管的制造方法，通过图形转移工艺刻蚀氢化非晶硅层形成沟道区，并通入处理气体对刻蚀后的氢化非晶硅层暴露出的表面进行热处理，处理气体包括N2和NH3中的至少一种且不含氢气。降低了Si与H结合产生Si‑H键的几率，减少氢化非晶硅层中Si‑H键的占比，提高薄膜晶体管的光照稳定性，减弱光照条件下薄膜晶体管阈值电压Vth的漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括于基板上依次形成栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层，其特征在于，所述方法还包括：在所述栅绝缘层上，制备氢化非晶硅层；在所述氢化非晶硅层上，依次制备掺杂非晶硅层、电极层；通过图形转移工艺刻蚀所述电极层、所述掺杂非晶硅层及所述氢化非晶硅层形成沟道区；通入处理气体对所述刻蚀后的氢化非晶硅层暴露出的表面进行热处理，所述处理气体是N2和NH3中的至少一种；在所述热处理后的氢化非晶硅层及所述电极层上形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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