[发明专利]一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810778552.3 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108998017A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 潘再法;严丽萍;王锴;邵康;王瑞平;闻莹婷 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 周红芳 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料及其制备方法，属于长余辉发光材料技术领域。该含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的制备方法，它以含锌化合物、含镓化合物、含硅化合物、含铬化合物为原料，将固体粉末原料研磨混匀得前驱体，放至坩埚中高温炉中升温至1100℃‑1400℃温度下焙烧1‑3次，所得焙烧产物经破碎、研磨得含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料。本发明的原料成本低廉、简单可行，对设备要求低，经1400℃的高温烧结也不会熔融玻璃化，本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且余辉强度强、余辉时间长等优良性质，且发光效率好，在250nm‑600nm范围内能够有效的激发，发光波长范围位于600‑850nm之间。 | ||
| 搜索关键词： | 长余辉发光材料 硅尖晶石 基质 制备 研磨 余辉 焙烧 含铬化合物 含硅化合物 含锌化合物 焙烧产物 发光波长 发光效率 高温烧结 固体粉末 近红外区 熔融玻璃 原料成本 镓化合物 对设备 前驱体 中高温 混匀 炉中 坩埚 破碎 发射 激发 | ||
【主权项】：
1.一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料，其特征在于所述发光材料的化学表达式为：Zn2+aGaa(2‑x)SiO4+4a:xCr3+式中：0＜a≤20，0.001≤x≤0.1。
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