[发明专利]N型太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 201810769869.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110718607A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈炯;何川 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 31283 上海弼兴律师事务所 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；对N型硅衬底背面进行抛光；在N型硅衬底背面形成第一氧化物层；在该第一氧化物层上形成N型多晶硅层；在该N型硅衬底正面形成第二氧化物层，该第二氧化物层的能带带隙大于3eV，功函数大于5eV；在该第二氧化物层上形成第三氧化物层，第三氧化物层电阻率小于5e10 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 衬底背面 衬底正面 带隙 电池 正面金属电极 空穴 选择性接触 背面电极 高功函数 少子复合 正面电极 电阻率 功函数 接触处 抛光 衬底 减小 栅状 制绒 半导体 背面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：对N型硅衬底进行双面制绒；/nS2：对该N型硅衬底背面进行抛光；/nS3：在该N型硅衬底背面形成第一氧化物层；/nS4：在该第一氧化物层上形成N型多晶硅层；/nS5：在该N型硅衬底正面形成第二氧化物层，该第二氧化物层的能带带隙大于3eV，功函数大于5eV；/nS6：在该第二氧化物层上形成第三氧化物层，所述第三氧化物层电阻率小于5e10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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