[发明专利]一种等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201810765652.2 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987235B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈富军;戴巧云 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括反应腔室、位于反应腔室内的上电极、下电极和包覆结构以及至少一个挡板，反应腔室的底部未设置下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构包覆排气孔和部分下电极，下电极放置基板的表面裸露，包覆结构上设置有至少一个第一开孔；挡板对应第一开孔设置，挡板用于遮挡至少部分对应的第一开孔，挡板遮挡第一开孔的面积可调。通过上述技术方案，可以通过调节挡板遮挡对应第一开孔的遮挡面积调节等离子体处理装置中工艺气体的流向，实现对刻蚀和沉积均匀性的局部改善，且包覆结构的设置减小了等离子体处理装置的反应腔室的空间，提高了工艺气体的利用率，有利于提高刻蚀或沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：上电极和下电极，所述上电极和所述下电极位于所述反应腔室内，所述下电极设置于所述反应腔室的底部，所述反应腔室的底部未设置所述下电极的部分设置有多个排气孔；包覆结构，所述包覆结构位于所述反应腔室内，所述包覆结构包覆所述排气孔和部分所述下电极，所述下电极放置基板的表面裸露，所述包覆结构上设置有至少一个第一开孔；至少一个挡板，所述挡板对应所述第一开孔设置，所述挡板用于遮挡至少部分对应的所述第一开孔，所述挡板遮挡所述第一开孔的面积可调。
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