[发明专利]页缓冲器、感测存储单元的方法以及非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201810754203.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109243507B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李泰润;金埰勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C16/04;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 页缓冲器包括第一预充电电路、第二预充电电路和读出放大电路。第一预充电电路包括用于对连接到非易失性存储单元的位线预充电的第一路径。第二预充电电路包括用于对连接到位线的感测节点预充电的第二路径。第二路径与第一路径电分离。感测节点用于检测非易失性存储单元的状态。读出放大电路连接到感测节点和第二预充电电路，并且存储表示非易失性存储单元的状态的状态信息。第二预充电电路被配置为对感测节点执行第一预充电操作，并且被配置为基于第一预充电操作之后非易失性存储单元的状态来选择性地对感测节点执行第二预充电操作。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲器 存储 单元 方法 以及 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种页缓冲器，包括：第一预充电电路，包括用于对连接到非易失性存储单元的位线预充电的第一路径；第二预充电电路，包括用于对连接到所述位线的感测节点预充电的第二路径，其中所述第二路径与所述第一路径电分离，并且所述感测节点用于检测所述非易失性存储单元的状态；读出放大电路，连接到所述感测节点和所述第二预充电电路，并且被配置为存储表示所述非易失性存储单元的状态的状态信息，其中，所述第二预充电电路被配置为对所述感测节点执行第一预充电操作，并且被配置为基于所述第一预充电操作之后所述非易失性存储单元的状态来选择性地对所述感测节点执行第二预充电操作。
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