[发明专利]CdZnSeS纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 201810752950.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108841386B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王允军;李敬群 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种CdZnSeS纳米晶的制备方法，包括：步骤1、使二苯基膦和二苯基氧膦与含有镉前体和锌前体的溶液混合，得到第一体系；步骤2、向所述第一体系中加入Se单质和S单质，得到CdZnSeS纳米晶核；步骤3、在所述CdZnSeS纳米晶核表面生长壳层，由此得到CdZnSeS纳米晶。通过使用二苯基膦和二苯基氧膦去活化镉前体和锌前体，本申请可以制备得到发射半峰宽小的CdZnSeS纳米晶。 | ||
| 搜索关键词： | cdznses 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.CdZnSeS纳米晶的制备方法，包括：步骤1、使二苯基膦和二苯基氧膦与含有镉前体和锌前体的溶液混合，得到第一体系；步骤2、向所述第一体系中加入Se单质和S单质，得到CdZnSeS纳米晶核；步骤3、在所述CdZnSeS纳米晶核表面生长壳层，由此得到CdZnSeS纳米晶。
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