[发明专利]一种表面局部浸润性可控基底及其应用在审

专利信息
申请号: 201810750718.0 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN109517736A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 孙康;李喜梅;杨明亮;蒋庆 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种表面局部浸润性可控基底,利用该基底可构建三维细胞共培养模型,所述表面局部浸润性可控基底包含超疏水的惰性表面和在所述惰性表面上的图案化电极,且该图案化电极的表面浸润性可控,控制表面浸润性的方法是首先通过微加工等方法制备出图案化电极,然后通过分子修饰改变图案化电极的表面化学成分,使其表面变为超疏水;利用电解析等使该图案化电极的表面进行化学分子脱附,图案化电极表面变为亲水,且上述过程可逆,实现浸润性可控,同时惰性表面不全部被图案化电极覆盖。本发明将所述基底用于制备三维细胞共培养模型,极大地简化了现有制备细胞三维共培养细胞模型的操作及方法。
搜索关键词: 图案化电极 浸润性 基底 可控 表面局部 惰性表面 制备 三维 细胞共培养 超疏水 表面浸润性 表面化学 分子修饰 化学分子 控制表面 培养细胞 电解析 微加工 可逆 构建 亲水 脱附 细胞 覆盖 应用
【主权项】:
1.一种表面局部浸润性可控基底,其特征在于,包括超疏水的惰性表面和在所述惰性表面上的图案化电极,且该图案化电极的表面浸润性可控。
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