[发明专利]一种原子晶体硼掺杂碳材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810745571.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108840679B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王慧奇;李莹;安铎;曹红红;李宁;胡胜亮;常青;王延忠 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | C04B35/532 | 分类号： | C04B35/532;C04B35/622;C01B32/15;C01B32/21;C01B32/194;C01B32/168;H01M4/62 |
| 代理公司： | 太原华弈知识产权代理事务所 14108 | 代理人： | 王哲 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原子晶体硼掺杂碳材料的制备方法，先将碳材料装填于含硼石墨坩埚中，螺纹密封后将含硼石墨坩埚放置于石墨化炉的恒温区，升温至2000～3000℃后恒温0.5～3h，降至室温后制得硼掺杂碳材料。本发明利用气相硼掺杂的方法，经气‑固反应制得硼掺杂碳材料。本发明制备得到的硼掺杂碳材料具有硼分布均匀、硼含量可调、表面活性大、缺陷少、导电率高等特点，可在电极材料导电剂、活性物质等电池领域中有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 晶体 掺杂 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原子晶体硼掺杂碳材料的制备方法, 其特征在于：将装填并密封有碳材料的含硼石墨坩埚置于石墨化炉的恒温区，在惰性气氛保护下，升温至2000～3000℃后恒温0.5～3h，降至室温，得到原子晶体硼掺杂碳材料。
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