[发明专利]太阳能级多晶硅制备装置

摘要

本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备装置，涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。

主权项

1.一种太阳能级多晶硅制备装置，其特征在于：包括炉体（21），坩埚杆（16）的上端位于所述炉体（21）内，且坩埚杆（16）的上端设置有坩埚支撑（19），坩埚杆（16）的下端位于所述炉体（21）外，所述坩埚支撑（19）内设置有坩埚（12），所述坩埚支撑（19）的外周设置有主加热器（13），所述坩埚支撑（19）的下侧设置有辅助加热器（15），所述坩埚（12）正上方的中部设置有提拉共晶保护罩（4），所述提拉共晶保护罩（4）上设置有设置有充气管（4‑1），所述充气管（4‑1）的下端位于所述保护罩内，且不插入所述坩埚（12）的熔体内，所述充气管（4‑1）的上端从下到上依次穿过所述保护罩的上侧板以及炉体（21）后从炉体（21）的上侧伸出，所述保护罩的侧壁上设置有出气通道（4‑2）；所述充气管（4‑1）之间设置有籽晶杆（2），所述籽晶杆（1）的上端位于所述炉体（21）的外侧，所述籽晶杆（1）的下端延伸到所述保护罩内，且所述籽晶杆（1）的下端设置有硅籽晶（7），所述保护罩的左右两侧设置有等离子电极（5），所述等离子电极（5）的上端设置有电极杆（2），所述电极杆（2）的上端延伸至所述炉体（21）外，位于左侧的所述等离子电极（5）的左侧设置有铝丝保护管（18）， 位于右侧的所述等离子电极（5）的右侧设置有钛丝保护管（6），且所述等离子电极（5）、钛丝保护管（6）以及铝丝保护管（18）位于所述坩埚（12）的正上方，高纯钛丝（3）通过钛丝保护管（6）进入坩埚（12）内的熔体（17）中，高纯铝丝（20）通过铝丝保护管（18）进入坩埚（12）内的熔体（17）中。