[发明专利]结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法

摘要

本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元；然后，对关键底层单元进行失效模式及失效机理分析，结合底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立具有分布特性的底层单元贮存退化模型；最后，通过可靠性框图对电子类单机结构特征进行描述，并将各底层单元贮存失效率注入其中，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明解决了因进行加速贮存试验时电子类单机样本量过小，而导致的贮存可靠性评估结果准确度较低的问题。

主权项

1.一种结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法，其特征在于所述方法步骤如下：步骤一：根据电子类单机的原理功能及原理图，利用仿真软件建立电子类单机功能仿真模型；步骤二：基于步骤一所建立的电子类单机功能仿真模型，利用灵敏度分析方法，结合使用厂家调研结果，确定影响电子类单机输出特性指标的关键底层单元；步骤三：根据步骤二中对使用厂家的调研结果，得到电子类单机在实际贮存过程中出现的失效模式，分析与之对应的失效机理，确定基于失效物理的各关键底层单元贮存退化模型形式；步骤四：针对电子类单机各关键底层单元进行加速贮存退化试验，监测各关键底层单元输出特性的贮存退化数据；步骤五：通过调研电子类单机各关键底层单元的生产厂家及实际跟厂，得到各关键底层单元的工艺过程数据，即各关键底层单元的输出特性初始分布情况；同时，结合步骤三中得到的各关键底层单元的贮存退化模型及步骤四中各关键底层单元的贮存试验退化数据，利用粒子滤波预测方法，得到具有分布特性的各关键底层单元贮存退化模型；步骤六：根据电子类单机结构特点，对步骤五中得到的各关键底层单元贮存退化模型进行随机抽样，抽选出可构建k个电子类单机的k组底层单元组合，将贮存时间带入，并假设某型号电子类单机由n个关键底层单元组成，得到n*k个关键底层单元贮存退化数据，根据关键底层单元输出特性的退化失效阈值，计算n*k个底层单元的退化失效伪寿命Ll∈{L1,L2,…,Lk}，并对其进行分布拟合，得到关键底层单元寿命分布的概率密度函数f(L)，分别计算得到t时刻的电子类单机每一位置对应关键底层单元的贮存可靠度数据，得到一组关键底层单元贮存可靠性数据；步骤七：根据电子类单机的功能原理及结构特点，建立电子类单机可靠性框图；步骤八：将步骤六中所得到的一组关键底层单元贮存可靠度数据带入步骤七中所建立的电子类单机可靠性框图中，得到电子类单机贮存可靠度。