[发明专利]一类醇取代的二维层状锗烷及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810726260.5 申请日: 2018-07-04
公开(公告)号: CN109053796B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 封伟;赵付来;王宇;冯奕钰;李瑀 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C07F7/30 分类号: C07F7/30
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 曹玉平
地址: 300350 天津市津南区海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一类醇取代的二维层状锗烷的制备方法,在氮气或惰性气体保护下将CaGe2分散于乙腈中,避光条件下加入超纯水和碘乙醇或碘丙醇进行反应,室温搅拌5‑10天;产物用去离子水、异丙醇分别洗涤,室温下真空干燥8‑24h,得到乙醇或丙醇取代的二维层状锗烷。本发明制备的一类醇取代的二维层状锗烷;二维层状锗烷为直接带隙半导体,光学带隙范围1.8‑1.9eV。相对于纯锗烷(带隙值1.56eV)有了很大提高,有望在场效应晶体管应用上对器件进行有效关断。
搜索关键词: 一类 取代 二维 层状 制备 方法
【主权项】:
1.一类醇取代的二维层状锗烷的制备方法,其特征是:在氮气或惰性气体保护下将CaGe2分散于乙腈中,避光条件下加入超纯水和碘乙醇或碘丙醇进行反应,室温搅拌5‑10天;产物用去离子水、异丙醇分别洗涤,室温下真空干燥8‑24h,得到乙醇或丙醇取代的二维层状锗烷。
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