[发明专利]基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法有效
申请号: | 201810724680.X | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN109033552B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 阎毓杰;王楠;杨云涛;邢思玮;王红军 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 |
主分类号: | G06F30/39 | 分类号: | G06F30/39;G06F30/20 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 代丽;仇蕾安 |
地址: | 430064 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法。使用本发明能够在满足延迟线结构特征要求的同时保证了各级反射栅具有较好的回波性能,从而能够获取较好的检测识别效果。充分考虑了前级反射栅的传播损失和两次透射损失对后一级反射栅反射回波能量的影响,通过建立回波补偿的数学模型以除去前级反射栅的传播损失和两次透射损失对后一级反射栅反射回波能量的影响,相比于现有设计方法,本发明方法所设计的声表面波电子标签芯片具有较好的回波质量和检测识别效果以及较高的设计效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 回波 能量 补偿 表面波 rfid 芯片 反射 系数 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,依据芯片设计要求,设计第一反射栅的结构特征,确定第一反射栅的反射系数和透射系数;步骤2,根据下式计算后一级反射栅的反射系数:其中,rn‑1、rn分别为第n‑1、n级反射栅的反射系数;dn为第n‑1、n级反射栅之间的中心间距;sn‑1为第n‑1级反射栅的透射系数;Gn为第n‑1、n级反射栅之间的回波关联补偿修正系数;k为传播损耗系数;步骤3,根据第n级反射栅的反射系数确定第n级反射栅的结构特征和透射系数;步骤4,重复步骤2~3,直到完成末级反射栅结构设计。
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