[发明专利]集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件有效
| 申请号： | 201810723449.9 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216461B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;陈辉;张玉明;宋庆文;张艺蒙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，包括：衬底(10)，漏极(11)，N‑漂移区(8)；P+源槽保护区(9)，位于所述N‑漂移区(8)；源极(6)，位于所述P+源槽保护区(9)上方；P+欧姆接触区(5)，位于所述N‑漂移区(8)；P型基区(7)，位于所述N‑漂移区(8)；N+源区(3)，位于所述P型基区(7)上方；栅源隔离层(4)，位于所述N+源区(3)上方；栅介质(2)，栅极(1)；所述源极(6)与所述N‑漂移区(8)的界面为肖特基接触。所述器件使得电路结构更加简单，提高了器件的可靠性并降低了器件设计的复杂性和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 型源槽 vdmosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(10)；以及漏极(11)，位于所述衬底(10)下方；N‑漂移区(8)，位于所述衬底(10)上方；P+源槽保护区(9)，位于所述N‑漂移区(8)内部；源极(6)，位于所述P+源槽保护区(9)上方；P+欧姆接触区(5)，位于所述源极(6)两侧的所述N‑漂移区(8)；P型基区(7)，位于所述N‑漂移区(8)内部；N+源区(3)，位于所述P型基区(7)上方；栅源隔离层(4)，位于所述N+源区(3)上方；栅介质(2)，位于所述N‑漂移区(8)上方；栅极(1)，位于所述栅介质(2)上方；所述源极(6)与所述N‑漂移区(8)的界面为肖特基接触。
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