[发明专利]超高电荷密度驻极体及其制作方法有效
| 申请号： | 201810722593.0 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216184B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | S.田;N.克吕格尔 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H04R19/01 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种超高电荷密度驻极体。所述超高电荷密度驻极体包括具有多个侧壁的三维结构。在所述多个侧壁上形成多孔二氧化硅膜，并且所述多孔二氧化硅膜是利用多个正或负离子充电的。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 电荷 密度 驻极体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包括：文本消息处理器；广播处理器，耦合到所述文本消息处理器的输出；信号处理器，耦合到所述广播处理器的输出；调制器，耦合到所述信号处理器的输出；功率放大器，耦合到所述调制器的输出；以及天线，耦合到所述功率放大器的输出，其中所述调制器包括多个超高电荷密度驻极体，包括：多个三维结构；所述多个三维结构中的每一个上的多个侧壁；以及在所述多个侧壁上形成的多孔二氧化硅膜，其中所述多孔二氧化硅膜是利用多个正或负离子充电的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
