[发明专利]引入外延层场阑区的反向传导IGBT及其制备方法

摘要

本发明涉及引入外延层场阑区的反向传导IGBT及其制备方法。提供的一种反向传导的绝缘栅双极晶体管RC‑IGBT，包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂结构构成，实现了半导体器件改良的软切换性能。在可选实施例中，含有外延层场阑区的RC‑IGBT器件，仅使用正面处理的制备工艺即可实现，以制备背部接触区和正面器件区。制备方法利用正面处理制备RC‑IGBT器件，制备背部接触区，然后利用晶圆结合工艺，在载体晶圆上翻转半导体结构，以便再次通过正面处理，制备器件区。

主权项

1.一种反向传导的绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于，包含：一个半导体层，包括一个或多个第一导电类型的重掺杂区，以及一个或多个与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂区；一个形成在半导体层上的第一导电类型的外延层，一个形成在半导体层附近的第一部分外延层中的场阑区，以及一个形成在第二部分外延层中的基极区，场阑区具有第一边在半导体层附近，第二边在基极区附近，基极区具有第一边在场阑区附近，第二边在第一边对面；一个第二导电类型的本体区，形成在基极区的第二边内；一个第一导电类型的源极区，形成在本体区中；一个栅极电介质层和一个导电栅极，形成在基极区第二边的外延层之上，其中形成在第一部分外延层中的场阑区具有一个掺杂结构，在场阑区中包括不稳定的、变化的掺杂水平，基极区具有稳定的掺杂水平。