[发明专利]N型多晶硅晶体及其制造方法与N型多晶硅晶片在审
| 申请号： | 201810685398.5 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109554751A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 翁敬闳;杨承叡;杨瑜民;张元啸;王柏凯;余文怀;施英汝;许松林 | 申请（专利权）人： | 中美矽晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种N型多晶硅晶体及其制造方法与N型多晶硅晶片。所述N型多晶硅晶体具有一电阻率斜率与一缺陷面积占比的斜率。在坐标横轴单位为固化分率以及坐标纵轴单位为欧姆·厘米(Ω·cm)时，在固化分率为0.25～0.8的电阻率斜率为0至‑1.8。在坐标横轴单位为固化分率以及坐标纵轴单位为缺陷面积占比(％)时，在固化分率为0.4～0.8的所述缺陷面积占比的斜率小于2.5。 | ||
| 搜索关键词： | 固化 纵轴单位 电阻率 横轴 晶片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种N型多晶硅晶体，其特征在于：所述N型多晶硅晶体具有电阻率斜率，在坐标横轴单位为固化分率以及坐标纵轴单位为欧姆·厘米时，在所述固化分率为0.25～0.8的所述电阻率斜率为0至‑1.8；以及所述N型多晶硅晶体具有缺陷面积占比斜率，在坐标横轴单位为所述固化分率以及坐标纵轴单位为缺陷面积占比时，在所述固化分率为0.4～0.8的所述缺陷面积占比斜率小于2.5。
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