[发明专利]一类晶体光纤材料在审
| 申请号： | 201810678824.2 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108823633A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王燕;涂朝阳;游振宇;李坚富;朱昭捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B15/08 | 分类号： | C30B15/08;C30B29/22;H01S3/067 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一类三价稀土离子RE(包括Er3+、Ho3+、Dy3+、Nd3+)等激活的ABC3O7构型的晶体光纤材料，其特征在于：所述晶体光纤属于黄长石结构，分子式为RExAB1‑xC3O7，其中，A为Ca，Sr，Ba中的至少一种，B为Y，La，Gd中的至少一种，C为Ga，Al中的至少一种；RE3+的掺杂浓度x＝0.01～0.5，取代晶体光纤中的B。该类晶体光纤可采用微下拉法生长得到，用于实现全波段(包括可见、红外、近红外和中红外波段)激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体光纤 三价稀土离子 黄长石结构 红外波段 全波段 下拉法 构型 掺杂 激光 激活 生长 输出 申请 | ||
【主权项】：
1.一类三价稀土离子RE3+(包括Er3+、Ho3+、Dy3+、Nd3+等)激活的ABC3O7构型的晶体光纤材料，其特征在于：所述晶体光纤属于黄长石结构，分子式为RExAB1‑xC3O7，其中，A为Ca，Sr，Ba中的至少一种，B为Y，La，Gd中的至少一种，C为Ga，Al中的至少一种；RE3+的掺杂浓度x＝0.01～0.5，取代晶体光纤中的B。
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