[发明专利]薄膜结构在审
| 申请号： | 201810677661.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649106A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谢文俊;林振吉 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L33/02 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜结构，其包括非晶硅薄膜以及多个纳米粒子。多个纳米粒子于非晶硅薄膜的表面上，且多个纳米粒子的材料包括光热效应材料，因此可以提升非晶硅薄膜于融化再结晶的过程中的大面积结晶均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅薄膜 纳米粒子 结晶均匀性 薄膜结构 光热效应 再结晶 融化 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜结构，其特征在于，包括：/n非晶硅薄膜；以及/n多个纳米粒子，于所述非晶硅薄膜的表面上，且所述多个纳米粒子的材料包括光热效应材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
