[发明专利]一种接触孔的外形结构

摘要

本发明公开一种接触孔的外形结构，其中，提供一半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底上依次沉积第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层及第二氧化层；于半导体结构上形成接触孔，包括第一区段、第二区段、第三区段及第四区段；第一区段沿斜坡自上而下位于第二氧化层的上端口与下端口之间；第二区段沿斜坡自上而下位于第二氮化层的上端口与下端口之间，第二区段的上端开口与第一区段的下端开口相同；第三区段位于第一氧化层的上部与中部之间，第三区段为弧形结构，弧形结构向第三区段的两侧突出；第四区段位于第一氧化层的中部与第一氮化层的下端口之间。有益效果在于：改变接触孔的外形结构，间接降低了接触孔的深宽比，进而避免产生空洞现象。

主权项

1.一种接触孔的外形结构，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底上依次沉积一第一氮化层、一第一氧化层、一第二氮化层及一第二氧化层；于所述半导体结构上形成一接触孔，所述接触孔包括第一区段、第二区段、第三区段及第四区段；所述第一区段自上而下位于所述第二氧化层的上端口与下端口之间，所述第一区段的上端开口大于所述第一区段的下端开口；所述第二区段自上而下位于所述第二氮化层的上端口与下端口之间，所述第二区段的上端开口与所述第一区段的下端开口相同，且所述第二区段的斜坡斜率大于所述第一区段的斜坡斜率；所述第三区段位于所述第一氧化层的上部与中部之间，所述第三区段为弧形结构，所述弧形结构向所述第三区段的两侧突出，所述第三区段的上端开口与所述第二区段的下端开口相同，所述第三区段的下端口与同侧所述第一区段的上端口的连线与所述衬底形成一预设角度；所述第四区段位于所述第一氧化层的中部与所述第一氮化层的下端口之间，所述第四区段的斜坡与所述衬底的夹角大于所述预设角度。