[发明专利]金刚线多晶硅片表面织构化加工方法

摘要

本发明公开了一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，包括如下步骤：S1:对金刚线多晶硅片的一侧表面进行均匀喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；S2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行腐蚀处理，所述腐蚀液包括4‑10%的氢氟酸，30‑50%的硝酸，0.01‑0.05%的表面活性剂，0.01‑0.5%的缓蚀剂，和0.01‑0.5%的稳定剂，其余为去离子水。本发明能够将金刚线切割应用于多晶硅片的表面织构化加工中，具有减反射效果显著、外观形貌均匀、成本低廉、清洁环保的特点。

主权项

1.一种金刚线多晶硅片表面织构化加工方法，其特征在于包括如下步骤：/nS1: 对金刚线多晶硅片的一侧表面进行喷砂处理，在该侧面形成太阳光的入射面；/nS2：将步骤S1处理后的金刚线多晶硅片放入腐蚀液内进行湿法处理，所述腐蚀液包括4-10%的氢氟酸，30-50%的硝酸，0.01-0.05%的表面活性剂，0.01-0.5%的缓蚀剂和0.01-0.5%的稳定剂，其余为去离子水。/n