[发明专利]用于光刻的辐射源和方法在审
| 申请号： | 201810663802.9 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN108828903A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | H·G·席梅尔;M·里彭;R·吉利森;D·德格拉夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种适用于向光刻设备提供辐射的辐射源从等离子体(12)生成辐射，等离子体从包括气体的围闭件内的燃料(31)生成。等离子体生成初级燃料碎片，初级燃料碎片被收集为碎片接收表面((33a)、(33b))上的燃料层。碎片接收表面被加热到一定温度，以将燃料层保持为液态，并且提供液态燃料层内的降低的或者零气泡形成率，以便降低由源于从液态燃料层的气泡喷发的次级碎片对光学表面(14)的污染。附加地或者备选地，辐射源可以具有被定位和/或定向以使得垂直于碎片接收表面的基本上所有的线不与辐射源的光活性表面相交的碎片接收表面。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射源 接收表面 等离子体 燃料碎片 液态燃料 燃料层 等离子体生成 光刻设备 光学表面 气泡形成 辐射 光活性 备选 闭件 光刻 加热 相交 垂直 燃料 污染 | ||
【主权项】：
1.一种辐射源，所述辐射源被布置为接收激发束，以使得在使用时所述激发束入射在等离子体形成位置处的燃料上，从而导致初级碎片的发射，所述辐射源包括：碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起所述碎片接收表面的污染；以及具有光活性表面的部件；其中所述碎片接收表面和所述部件被定位和/或定向以使得垂直于所述碎片接收表面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。
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